IPB80N06S2L11 datasheet
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>> IPB80N06S2L11 MOSFET MOSFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
IPB80N06S2L11
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET MOSFET
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET MOSFET
制造商
Infineon Technologies
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
55 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
80 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
10.7 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
IPB80N06S2L11
IPB80N06S2L-11
IPB80N06S2L11ATMA2
IPB80N06S2LH5
IPB80N06S2L-H5
IPB80N06S2LH5ATMA4
供应商
公司名
电话
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
深圳市众芯微电子有限公司
0755-83208010
陈小姐
深圳市科翼源电子有限公司
13510998172
朱小姐
北京京北通宇电子元件有限公司
17862669251
洪宝宇
中山市翔美达电子科技有限公司
15502070655
朱小姐
江苏名佑芯电子科技有限公司
17305201127
任祥建
北京京北通宇电子元件有限公司
18724450645
吴
深圳市芯品会科技有限公司
0755-83265528
朱先生
深圳市德力诚信科技有限公司
13305449939
王小姐
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129491949(手机优先
谭玉丽
IPB80N06S2L11 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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